祝贺李颖飞同学(本科三年级)工作被Phys. Rev. B正式接收！

李颖飞同学结合第一性原理计算与角分辨光电子谱学测量，得到了铁磁半导体CrGeTe3的电子能带结构，区分了不同kz分布的能带，通过表面钾掺杂确定了该材料间接带隙大小为0.38eV。 该工作顺利发表在Physical Review B上。

Phys. Rev. B 98, 125127 (2018)