韩露

研究方向：
主要研究方向为过渡金属氧化物新型磁电功能低维材料的原子层构筑、新颖物性与调控，包括（准）二维铁电、铁磁、多铁及高温超导等。面向高密度、低能耗信息存储领域，发展了基于分子束外延的自支撑氧化物薄膜剥离、转移及调控新方法，取得了一系列创新成果：1、剥离单层自支撑薄膜，突破脆性钙钛矿材料的应变极限，首次获得高达6.4%的一维应变；2、构筑自支撑异质结，实现高密度且阻态可调的极化拓扑畴的硅基集成；3、将自支撑薄膜与二维材料堆叠，获得铁电畴的最小应力擦写记录，并在硅基片上集成可兼容力和电擦写的低功耗铁电场效应晶体管。以第一/通讯作者在Nature、Nature Communications、Nano Letters等期刊发表论文，入选国家级青年人才项目、获中国科协未来女科学家奖。